高(gao)壓(ya)(ya)片式電(dian)(dian)阻(zu)器HVC系列結(jie)合了專(zhuan)有的(de)細線厚(hou)膜技(ji)術和設計，實現了SMD片式電(dian)(dian)阻(zu)器的(de)高(gao)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)額(e)定值和穩(wen)定性的(de)新水平。與傳(chuan)統(tong)厚(hou)膜芯(xin)片電(dian)(dian)阻(zu)器相比(bi)，Nicrom的(de)技(ji)術具有更長、高(gao)縱橫比(bi)的(de)低電(dian)(dian)阻(zu)率薄膜跡(ji)線。

與標準芯(xin)片電(dian)阻(zu)器相比(bi)，Nicrom的(de)(de)HVC系列提供(gong)了(le)無與倫比(bi)的(de)(de)性能和(he)(he)設計效率，從而(er)降(jiang)低了(le)電(dian)壓(ya)系數和(he)(he)溫度系數、降(jiang)低了(le)噪聲、更(geng)嚴格(ge)的(de)(de)公差、更(geng)高(gao)的(de)(de)穩(wen)定(ding)性、更(geng)高(gao)電(dian)阻(zu)值(zhi)和(he)(he)更(geng)高(gao)的(de)(de)電(dian)壓(ya)額定(ding)值(zhi)。提供(gong)可(ke)接線鍵合(he)的(de)(de)金端子和(he)(he)定(ding)制(zhi)配置。

電阻值(zhi)：所有型號從1K到高達100G（根據要求為(wei)1T）

公差：0.05%、0.1%、0.25%、0.5%、1%、2%、5%、10%、20%（0.05%適用(yong)于(yu)10G，0.25%適用(yong)于(yu)100G）

溫度(du)系(xi)數：5、10、15、25、50和100 ppm/°C（10G可用10 ppm/°C，100G可用25 ppm/°）

工作溫度(du)：-55…+200°C（可將溫度(du)范圍擴展至350°C）

絕緣電阻：>10’000 M 500 V 25°C 75%相(xiang)對濕度(du)

介電強(qiang)度(du)：>1'000伏25°C 75%相對濕度(du)

熱(re)沖擊：R/R<0.1%典型(xing)值，max.0.50% MIL Std. 202，method 107 Cond. C IEC 68 - 2 -14

過載：R/R<0.1%典型值(zhi)，0.50%max.1,5 x Pnom，5秒(miao)（不超(chao)過MAX電壓）

防潮(chao)性：R/R<0.1%典(dian)型值，max.0.50%MIL標準202，方法106 IEC 68-2-3

負載壽命：R/R<0.1%典型值，額定功率下max.0.50%1000小(xiao)時IEC 115-1

封裝：絲網印刷硅膠

核心材料

Al2O3（96%）

焊盤材料(liao)(liao)：銀(yin)（PdAg）/可粘結(jie)金(jin)/鍍錫電阻材料(liao)(liao)氧化釕