產品介紹
Sirenza Microdevices 成(cheng)立(li)于 1985 年(nian)，前(qian)身為 Matrix Microassembly Corporation，1992 年(nian)更名(ming)為 Stanford Microdevices, Inc.，于 2001 年(nian) 10 月(yue)更名(ming)為 Sirenza Microdevices。Stanford Microdevices 及(ji)其(qi)子公司 Premier Devices 的總部(bu)現(xian)位于科羅(luo)拉多州布魯姆菲爾德，為商業通信(xin)、消費、航空(kong)航天和國防設備(bei)市場設計和開發(fa)射(she)頻組(zu)件。SNA-186 是(shi)一(yi)款(kuan) GaAs 單片寬帶放(fang)大器 (MMIC)，采用(yong)低成(cheng)本表(biao)面貼裝塑料封裝。 在(zai) 1950 MHz 時，該放(fang)大器在(zai) 50mA 偏置(zhi)時提(ti)供(gong) 12dB 的增益(yi)和 + 13dBm 的 P1dB 功率(lv)。 使用(yong)外部(bu)電阻器可實現(xian)偏置(zhi)靈(ling)動性和穩定性。 這些無條件穩定放(fang)大器設計用(yong)作通用(yong) 50 歐姆增益(yi)模塊。 還(huan)提(ti)供(gong)芯片形式 (SNA-100)，其(qi)小尺寸 (0. 33mm X 0.33mm) 和金金屬化使其(qi)成(cheng)為混合電路的理想選擇。
性能特點
- 可靠 GaAs HBT 技術
- 可級聯 50 歐姆增益模塊
- 12dB 增益，+13dBm P1dB
- 1.5:1 輸入和輸出 VSWR
- 采用單直流電源供電
- 低成本表面貼裝塑料封裝
技術參數
- 設備工作電壓：3.8V
- 器件工作電流:50mA
- 器件增益溫度系數:-0.0015dB/°C
- 熱阻（結到引線）:350°C/W
