ATN3580 系列衰(shuai)(shuai)減(jian)器芯(xin)片在高電(dian)阻率(lv)硅芯(xin)片上集成了薄(bo)膜(mo)電(dian)阻器，以實現衰(shuai)(shuai)減(jian)、緊密平(ping)坦度(du)和高達 40 GHz 的回波損(sun)耗。該設計(ji)采用(yong)平(ping)衡 TEE 電(dian)阻結構，以確保寬帶寬性能。與傳統(tong)的厚膜(mo)印刷衰(shuai)(shuai)減(jian)器相比，薄(bo)膜(mo)技術提供了改進的功(gong)率(lv)處理能力。所有 ATN3580 衰(shuai)(shuai)減(jian)器芯(xin)片都指定了它們(men)在 DC 下的衰(shuai)(shuai)減(jian)。此外，晶圓探(tan)針樣品測試進行到 40 GHz，以確保滿(man)足平(ping)坦度(du)規范。

• 對 40 GHz 的指定平坦響應
• 回波損耗 > 16 dB 至 40 GHz
• 提供 1–10、12、15、20、30 和 40 dB
• 功率處理至 1 W CW
• 堅固的薄膜硅芯片
• 無鉛 (Pb)、符合 RoHS 標準和 Green

• 標稱衰減 (dB):40
• 衰減容差@DC (dB):±1.60
• 衰減平坦度_ 0.1-12 GHz (dB):1.0
• 衰減平坦度_ 0.1-26.5 GHz (dB):2.0
• 衰減平坦度_ 0.1-40 GHz (dB):4.0
• 回波損耗_ 0.1-12 GHz (dB):23
• 回波損耗_ 0.1-26.5 GHz (dB):18
• 回波損耗_ 0.1-40 GHz (dB):15