ProE-Vap 傳(chuan)輸系(xi)統專(zhuan)為原子層(ceng)沉(chen)(chen)積(ji) (ALD) 和化學(xue)氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji) (CVD) 工藝中使用的(de)固體(ti)(ti)前(qian)驅(qu)體(ti)(ti)而(er)(er)設(she)計(ji)。它(ta)(ta)能(neng)(neng)為當前(qian)和未來技術節點中使用的(de)各種固體(ti)(ti)材料提(ti)供(gong)穩定的(de)質量(liang)流量(liang)。固體(ti)(ti)前(qian)驅(qu)體(ti)(ti)由(you)于蒸(zheng)汽(qi)壓(ya)力低(di)、熱穩定性有限(xian)，很難穩定地(di)輸送到沉(chen)(chen)積(ji)室中。ProE-Vap 系(xi)統克服了這些問題(ti)，提(ti)供(gong)了業內適配解決方案。與(yu)其他蒸(zheng)發(fa)器相(xiang)比，ProE-Vap 傳(chuan)輸系(xi)統能(neng)(neng)以(yi)更(geng)低(di)的(de)溫度(du)(du)更(geng)穩定地(di)傳(chuan)輸固體(ti)(ti)前(qian)驅(qu)體(ti)(ti)，從(cong)而(er)(er)降低(di) ALD 和 CVD 的(de)擁有成本。它(ta)(ta)能(neng)(neng)很大限(xian)度(du)(du)地(di)減(jian)少化學(xue)濃(nong)度(du)(du)漂移，從(cong)而(er)(er)提(ti)高晶圓(yuan)產(chan)量(liang)，減(jian)少工具(ju)停機時間。自 2008 年(nian)以(yi)來，ProE-Vap 已在大批量(liang)生產(chan)環境中證明了其高可靠性和強大的(de)性能(neng)(neng)。它(ta)(ta)支持輸送制造高度(du)(du)復(fu)雜的(de)微電子器件所需的(de)各種無機和過渡金(jin)屬前(qian)驅(qu)體(ti)(ti)。提(ti)供(gong)多(duo)種配置，可安(an)裝(zhuang)在不同的(de) OEM 工具(ju)套(tao)件上

用于固體(ti)前驅體(ti)輸送的創新(xin)設計安瓿(bu)

在較低溫度下(xia)提供更高的質量(liang)流量(liang)

支持氣動和手動閥門選項

整體性能高，在蒸(zheng)發器使用壽命(ming)內流量始終如一

經證明可用(yong)于(yu)半(ban)導體應(ying)用(yong)中的多(duo)種固體前驅體，并可用(yong)于(yu) LED 等其他(ta)新興(xing)技術

可有效(xiao)使用前驅體，大(da)限度地(di)減少過熱導致的分(fen)解

與多個(ge) OEM 工(gong)具(ju)兼容；支持(chi)開(kai)發(fa)型大批量晶片(pian)處理(li)

降低擁有成本

材料汽化表面積增加 6 倍

托盤(pan)可改善材料(liao)的(de)熱(re)(re)傳(chuan)導(dao)，從(cong)而(er)提(ti)高熱(re)(re)均勻(yun)性

載氣流穿過固體表面(mian)，以提(ti)高(gao)汽(qi)化(hua)材料的(de)拾(shi)取率(lv)

產地：美國

Max溫度：200 至(zhi) 250°C (392 至(zhi) 482 °F)，視配置而定

Max壓力：工作溫(wen)度下 100 psig

外形(xing)尺寸（高×寬(kuan)）：258.27 × 139.7 mm（10.17 × 5.5 英寸）

氣體入口位置：中軸

接頭類型：1⁄4 " 內螺紋 VCR

高度：257 mm（10.12 英寸(cun)）

氣體出(chu)口位置：偏離中軸(zhou)1.5"

接頭類型(xing)：1⁄4 " 外螺紋 VCR

高(gao)度(du)：258.27 mm（10.17 英寸）

材質：316L SS

表面處理：≤ 10 Ra

載氣：UHP He（氦氣）、UHP N₂（氮氣(qi)(qi)）、UHP Ar（氬氣(qi)(qi)）

頂氣：5 psi He

原(yuan)子層沉積、高κ電容器和門控電容器、金屬壁壘和電極(ji)、無氟鎢 (FFW)