Powerex 碳化(hua)硅 MOSFET 模(mo)塊(kuai)設計用(yong)于(yu)高頻應(ying)用(yong)。每個(ge)模(mo)塊(kuai)由六個(ge) MOSFET 碳化(hua)硅晶(jing)體管(guan)組成。所有組件和互連(lian)都與散熱(re)基板隔離，提(ti)供簡化(hua)的系統組裝和熱(re)管(guan)理(li)。

• 接點溫度：175°C
• 良好的Rds(on)
• 高速開關
• 低開關損耗
• 低電容
• 低驅動要求
• 高功率密度
• 隔離底板
• 氮化鋁隔離
• Wolfspeed 第三代芯片

大帶隙能量和高場擊(ji)穿是碳化(hua)硅 (SiC) 的(de)兩(liang)個(ge)主要特性，碳化(hua)硅 (SiC) 已被用于創建具有零(ling)反向恢復(fu)電荷、降低開關損(sun)耗和更高溫度(du)工(gong)作(zuo)機會的(de)新(xin)一代功(gong)率半導體。

Powerex 將(jiang)供應商的(de) SiC MOSFET 和肖(xiao)特基(ji)勢(shi)壘二極管封裝(zhuang)到高(gao)(gao)性能(neng)全 SiC 模塊中(zhong)，或(huo)與高(gao)(gao)頻(pin)硅 IGBT 封裝(zhuang)到混合(he) Si/SiC 模塊中(zhong)。新的(de)薄型分(fen)離式雙封裝(zhuang)具(ju)有低(di)電感和適用(yong)(yong)于高(gao)(gao)熱循環應用(yong)(yong)的(de)銅(tong)或(huo) AlSiC 基(ji)板。

節能電力系統

高頻型電力系統

高溫電力系統