脈沖(chong)(chong)太(tai)(tai)(tai)(tai)赫茲(zi)光(guang)(guang)(guang)譜(pu)儀 (PTS-1) 是寬帶太(tai)(tai)(tai)(tai)赫茲(zi)時(shi)(shi)域(yu)(yu)光(guang)(guang)(guang)譜(pu)的(de)(de)集成(cheng)解決方(fang)(fang)案(an)。由(you)于其(qi)輻(fu)射(she)通過自(zi)由(you)空間(jian)傳播和靈活的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)學(xue)(xue)方(fang)(fang)案(an)，它是科學(xue)(xue)研究應用(yong)的(de)(de)理想(xiang)選擇。與其(qi)他寬帶太(tai)(tai)(tai)(tai)赫茲(zi)時(shi)(shi)域(yu)(yu)光(guang)(guang)(guang)譜(pu)系統類似，太(tai)(tai)(tai)(tai)赫茲(zi)輻(fu)射(she)發生(sheng)器的(de)(de)泵浦源是飛秒激(ji)光(guang)(guang)(guang)器（1048 nm 波長，~100 fs 脈沖(chong)(chong)持(chi)續時(shi)(shi)間(jian)，60 MHz 脈沖(chong)(chong)重(zhong)復率(lv)）。PTS-1 利用(yong)飛秒脈沖(chong)(chong)的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)學(xue)(xue)整(zheng)流來產生(sheng)太(tai)(tai)(tai)(tai)赫茲(zi)輻(fu)射(she)。飛秒激(ji)光(guang)(guang)(guang)輻(fu)射(she)傳輸到(dao)太(tai)(tai)(tai)(tai)赫茲(zi)輻(fu)射(she)發生(sheng)器，該輻(fu)射(she)發生(sheng)器是具有(you) HRFZ Si 棱鏡的(de)(de)氧(yang)化鎂(mei)摻雜鈮酸(suan)鋰 (MgO:LiNbO 3 ) 板(ban)晶體。產生(sheng)的(de)(de)脈沖(chong)(chong)通過自(zi)由(you)空間(jian)傳播，并(bing)由(you)帶有(you)由(you) Tydex 制造的(de)(de)電光(guang)(guang)(guang)檢測器 (EOD) 的(de)(de)電光(guang)(guang)(guang)裝置(zhi)檢測到(dao)。

太赫(he)茲輻射(she)的(de)(de)產生(sheng)和檢測(ce)按(an)如下方(fang)式(shi)進行：激光輻射(she)由(you)反(fan)射(she)鏡系(xi)統(tong)傳送到分(fen)束器(qi)，在分(fen)束器(qi)處被分(fen)成泵(beng)浦光束和信(xin)號(hao)光束。泵(beng)浦光束聚(ju)(ju)焦到生(sheng)成結構(gou)中。來自生(sheng)成結構(gou)的(de)(de)太赫(he)茲輻射(she)輸出(chu)被引導(dao)至包含所研究樣品的(de)(de)單元。通過細胞(bao)后(hou)，太赫(he)茲輻射(she)被聚(ju)(ju)焦到 EOD 的(de)(de)電光晶(jing)體(ti)中。信(xin)號(hao)光束通過光學延遲(chi)線，然后(hou)由(you)反(fan)射(she)鏡系(xi)統(tong)聚(ju)(ju)焦到同一個 EOD 晶(jing)體(ti)中。EOD 信(xin)號(hao)（TDS 系(xi)統(tong)直接測(ce)量太赫(he)茲脈沖的(de)(de)電場）由(you)同樣控制(zhi)延遲(chi)線的(de)(de)軟件接收。該軟件包括將 EOD 信(xin)號(hao)轉換(huan)為頻(pin)譜的(de)(de)數學裝(zhuang)置。

• 高輸出功率——不低于200μW
• 靈活的系統
• 功能豐富的軟件

固態飛秒激光器；

脈沖太赫(he)茲輻射的電(dian)光探測(ce)器(qi)；

所有(you)光學(xue)和太赫茲路徑的光學(xue)機械組件；

延遲線；

光(guang)(guang)學延遲線、光(guang)(guang)學機(ji)械調制器(qi)和激光(guang)(guang)器(qi)的電子(zi)控制單(dan)元；

預裝TydexLN軟件的PC

產地：俄羅斯

光(guang)譜(pu)范(fan)圍：0.1-2.5 THz

動態范(fan)圍(wei)：≥60 dB

平均輸出功率（太赫茲輻射）：≥200μW

延遲時間：330 ps

頻(pin)譜分辨(bian)率：5GHz

太赫茲輻射(she)源類型(xing)：MgO:LiNbO3

中心泵(beng)浦波長：1048nm

泵浦(pu)激(ji)光脈沖持(chi)續時間：120 fs

探測器類型：近(jin)紅(hong)外(wai)EOD

EO晶體：ZnTe

確定太赫茲范圍內(nei)的材料特性(xing)（透射、反射、吸收、折射率(lv)、復介電常數）；

監測(ce)半導(dao)體中的超高速(su)工藝(yi)；

半導體器件的超(chao)高速切換；

測定摻(chan)雜或光激發半導體中的(de)自由載(zai)流子(zi)濃度。