SmartMatrix 1500XP 在(zai)移動(dong)和商用 DRAM、圖形內(nei)(nei)(nei)存(cun) (GDDR)、高帶寬內(nei)(nei)(nei)存(cun) (HBM) 和新興(xing)內(nei)(nei)(nei)存(cun)設備上(shang)提(ti)供 300 毫(hao)米全晶圓接觸測試(shi)。 該平(ping)臺(tai)專為(wei)支持(chi)快速(su)設計斜坡和產品(pin)路線圖而開發，擴(kuo)(kuo)展了經過驗證(zheng)的(de) Matrix 架(jia)構(gou)，以解(jie)決(jue)增加的(de)探針卡并行(xing)性問題，單次觸地時(shi)每個晶圓可多達1536 個站點(dian)。它使用 FormFactor 的(de)端接測試(shi)儀資源擴(kuo)(kuo)展 (TTRE) 技(ji)術在(zai) x16 TRE 共享組信號上(shang)支持(chi)更(geng)快的(de)測試(shi)速(su)度/時(shi)鐘速(su)率，從 125 MHz 到 200 MHz。 SmartMatrix 1500XP 能夠在(zai) -40°C 至 160°C 范圍內(nei)(nei)(nei)測試(shi)汽車(che)半(ban)導體(ti)高溫(wen)要求(qiu)。

SmartMatrix 1500XP 的高性能和較短(duan)的交付時(shi)間為當今的 DRAM 和存儲設備實現了產量優化和更快的上(shang)市時(shi)間。

DRAM測(ce)試更(geng)高的(de)并(bing)行度、更(geng)高的(de)效率和更(geng)低(di)的(de)成本

• 通過使用 ATRE 在一次著陸時同時測試 1500 多個 DUT 來提高吞吐量
• 在不影響信號保真度的情況下將測試速度從 125 MHz 提高到 200 MHz

具有(you)頂部位(wei)置和性能的堅固 3D MEMS 彈簧

• 可擴展的 3D MEMS MicroSpring 技術支持靈活的焊盤布局和接觸性能
• 使接觸墊幾何收縮與技術節點過渡到 1x、1y 和 1z nm 節點一致
• 具有大 3D 彈簧橫截面的載流能力

良好的熱性能和設計靈活性

• 具有各種 CTE 的全晶圓接觸器基板，針對單溫度和雙溫度設計進行了優化
• 通過在單一溫度設計上實現 50% 以上的保溫時間減少來提高測試單元效率
• 采用晶圓后技術的 FormFactor 3D MEMS MicroSpring 可實現汽車要求的 160C 測試

生產正常運行時間長

• 在批量生產環境中始終實現超過 95% 的正常運行時間

易用性和可維護性

• 使用測試單元上的探針卡進行實時平面度調整和優化功能

• 現場單彈簧維修和探頭更換能力(li)可(ke)減少(shao)服務事件的(de)時(shi)間損失(shi)并提高(gao)設備效率