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LASER QUANTUM太赫茲發射器Tera-SED10

產品介紹

有效的(de)太(tai)赫茲 (THz) 輻射(she)源對于各種科學和技(ji)術應(ying)用非常(chang)重(zhong)要(yao)(yao)。重(zhong)要(yao)(yao)的(de)關(guan)鍵因(yin)素是(shi)大(da)帶寬和高(gao)太(tai)赫茲電(dian)場幅度(du)。這通(tong)常(chang)意味著較大(da)的(de)發(fa)射(she)極面積(ji)(ji),并且在傳統概念(nian)中需要(yao)(yao)高(gao)偏(pian)置電(dian)壓(ya)(數(shu)百伏)以實現(xian)必要(yao)(yao)的(de)偏(pian)置場強,通(tong)常(chang)在 kV/cm 范圍(wei)內。Tera-SED 的(de)主(zhu)要(yao)(yao)優勢是(shi)大(da)有效面積(ji)(ji)和低偏(pian)置電(dian)壓(ya)要(yao)(yao)求的(de)組合(he)。

Tera-SED 是一種平面大面積基于(yu) GaAs 的(de)(de)光電(dian)(dian)(dian)導發射(she)器,用(yong)于(yu)脈沖生成寬帶太(tai)赫(he)茲(zi)輻射(she)。 它具(ju)(ju)有新穎的(de)(de)叉指式電(dian)(dian)(dian)極(ji) MSM 結構,允許在單個電(dian)(dian)(dian)極(ji)之(zhi)間(jian)具(ju)(ju)有 kV/cmbias 場(chang)的(de)(de)大活(huo)性區域(yu)。只需(xu)要低(di)外部偏置電(dian)(dian)(dian)壓,無(wu)需(xu)脈沖高壓電(dian)(dian)(dian)源(yuan)。其(qi)靈活(huo)的(de)(de)可(ke)擴展設備(bei)技術使 Tera-SED 成為(wei)有效率(lv)且(qie)多功能的(de)(de)太(tai)赫(he)茲(zi)發射(she)器。

Tera-SED 不需要外(wai)部冷卻(que)。它連(lian)接(jie)到(dao)適(shi)合(he) 1 英寸(cun)光學(xue)安(an)裝座的金屬支架(jia)。易(yi)用性和輕松對齊(qi)是關鍵資產。

Tera-SED 有兩種(zhong)不同的版(ban)本:10x10 mm2 可(ke)(ke)用(yong)區(qu)(qu)域(yu)用(yong)于放大 fs-laser 系統(脈沖能量高(gao)達 300 μJ,從 ~10 μJ 飽和(he))和(he) 3x3 mm2 可(ke)(ke)用(yong)區(qu)(qu)域(yu)適合與 fs-laser 一起(qi)使用(yong)振蕩(dang)器。

性能特點

  • 大面積太赫茲發射器
  • 低外部偏置電壓
  • 無需外部冷卻
  • 叉指設計

選型指南

技術參數


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