KEMET 的 C0G 電(dian)介質具有高(gao)達125°C 的工作溫度，被認為是“穩(wen)定的”。

電(dian)子元(yuan)件(jian)、組件(jian)和材料協會 (EIA) 將 C0G 電(dian)介質定(ding)(ding)性為 I 類材料。此類別的組件(jian)具有溫(wen)度(du)補償(chang)功能，適(shi)用于(yu)諧振電(dian)路應用或需要(yao) Q 和電(dian)容特性穩定(ding)(ding)性的應用。C0G 的電(dian)容相對于(yu)時(shi)間和電(dian)壓沒有變化，電(dian)容相對于(yu)環境(jing)溫(wen)度(du)的變化可以忽略不計。從(cong) -55°C 到 +125°C，電(dian)容變化限制在 ±30 ppm/ºC。

• −55°C 至 +125°C 工作溫度范圍
• 無鉛 (Pb)，符合 RoHS 和 REACH 標準
• EIA 0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220 和 2225 外殼尺寸
• 直流電壓額定值為 10 V、16 V、25 V、50 V、100 V、200 V 和250V
• 電容范圍從 0.5 pF 到 0.47 μF
• 可用電容容差為 ±0.10 pF、±0.25 pF、±0.5 pF、±1%、±2%、±5%、±10% 和 ±20%
• 無壓電噪聲
• 低的 ESR 和 ESL
• 高熱穩定性
• 高紋波電流能力
• 線路頻率和 MHz 范圍內的良好電容解決方案
• 相對于施加的額定直流電壓，電容沒有變化
• 相對于 -55°C 至 +125°C 的溫度，電容變化可忽略不計
• 無電容隨時間衰減
• 非極性裝置，較大限度地減少安裝問題
• 100% 純啞光鍍錫端接飾面，可提供良好的可焊性
• SnPb 鍍層端接選項可應要求提供（MIX. 5% Pb）

1.DWV 是電容器在短(duan)時(shi)間內可以承(cheng)受(shou)（存活）的電壓。 它超過了電容器的標稱(cheng)和連續工作電壓。

2.在以下(xia)條件下(xia)測得(de)的電(dian)容和損耗因(yin)數 (DF)：

如果電容 ≤ 1,000 pF，1 MHz ±100 kHz 和 1.0 Vrms ±0.2 V ；

如果電容 > 1,000 pF，則為 1 kHz ±50 Hz 和 1.0 Vrms ±;0.2 V。

3.要獲得 IR 限值(zhi)，請(qing)將 MΩ-µF 值(zhi)除以(yi)電容并(bing)與(yu) GΩ 限值(zhi)進行比較。 選擇兩個限制中(zhong)較低的一個。

在(zai)以下(xia)條件下(xia)測量的電(dian)容(rong)和耗散因數 (DF)：

注意：測量電(dian)容(rong)時(shi)，確保設置的電(dian)壓水平保持恒定很重(zhong)要。 HP4284 和 Agilent E4980 具有稱為自動電(dian)平控(kong)制(zhi) (ALC) 的功能。 ALC 功能應該切換到(dao)“ON”。

典型(xing)應用包(bao)括關(guan)鍵時序、調(diao)諧(xie)、需要低損耗的電路(lu)、脈沖(chong)電路(lu)、大電流(liu)、去耦、旁路(lu)、濾波、瞬態電壓阻抑、阻塞(sai)和能量存(cun)儲。