Sheaumann的(de)高質(zhi)量(liang)、高功率激光(guang)芯片底(di)座(COS)產品通(tong)過In或AuSn鍵(jian)合安(an)裝在CuW或Cu底(di)座上的(de)AlN載體(ti)上。Sheaumann的(de)專(zhuan)有激光(guang)芯片設計(ji)提供高的(de)質(zhi)量(liang)和長(chang)(chang)壽命。波長(chang)(chang)發射范(fan)圍780-1710nm。
單模(mo)(mo)激光器通常(chang)比多模(mo)(mo)二極管(guan)提供更少的(de)(de)總功率,但窄的(de)(de)有源區允(yun)許更高的(de)(de)功率密(mi)度和更低(di)的(de)(de)電容,允(yun)許更快的(de)(de)切換,使其非常(chang)適合高速(su)應用。Sheaumann生(sheng)產具有外部鎖定選項的(de)(de)空間單模(mo)(mo)激光二極管(guan),具有各種(zhong)封(feng)裝配置,波長為780-1710nm。
產地:美國
波長(chang):785 nm
工(gong)作功(gong)率:150 mW
工作電(dian)流:typ.170mA,max.210mA
工作電壓:typ.1.9V,max.2.2V
閾值電流(liu):typ.35mA,max.55mA
邊坡(po)效率:0.9W/A
FWHM垂直遠(yuan)場:25°
FWHM水平遠場(chang):8°
操(cao)作溫度:-20...50℃
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