產品介紹
Sheaumann的高(gao)(gao)質量、高(gao)(gao)功(gong)率激光(guang)芯片(pian)底(di)座（COS）產(chan)品(pin)通過In或AuSn鍵合安裝在CuW或Cu底(di)座上(shang)的AlN載體上(shang)。Sheaumann的專有激光(guang)芯片(pian)設計提供更高(gao)(gao)的質量和長壽(shou)命。波長發射范(fan)圍780-1710nm。高(gao)(gao)亮度(du)、高(gao)(gao)質量和高(gao)(gao)可靠性是我們單模激光(guang)二極管產(chan)品(pin)系列(lie)的基礎。我們的785nm單模激光(guang)二極管能夠提供高(gao)(gao)達300mW的輸出(chu)功(gong)率。它們有Chip-on-Submount、TO Can和Butterfly包(bao)(bao)裝。受(shou)歡迎的應用(yong)包(bao)(bao)括拉曼光(guang)譜、粒(li)子計數和尺寸(cun)測(ce)定等。
性能特點
- 單一空間模式。
- 銦鍵合，銅底座。
- 超低和高AR涂層選項。
- 安裝和/或散熱解決方案須足以將設備保持在操作規范范圍內。建議在封裝和散熱器之間使用隔熱墊。
- 設備對ESD敏感。需要采取處理預防措施以確保設備符合規范。
技術參數
產地：美國
波長：785 nm
工作功率：150 mW
工作電流：typ.170mA，max.210mA
工(gong)作電壓：typ.1.9V，max.2.2V
閾值電流：typ.35mA，max.55mA
邊(bian)坡(po)效率：0.9W/A
FWHM垂直遠(yuan)場：25°
FWHM水平遠場：8°
尺(chi)寸：3.00mm長(chang)x 6.35mm寬x 3.0mm高
操(cao)作(zuo)溫度(du)：-20...50℃
發(fa)射(she)器選(xuan)項：4-400µm
CLmax.：3.0
