產品介紹
這些(xie)PS6催化劑和(he)吸附器(qi)本體氣體凈化器(qi)以高可靠性、低(di)成(cheng)本和(he)高性能有效地(di)去除了大量雜(za)質。
性能特點
- 使用專門設計的雙催化和吸附工藝，為半導體應用提供高純度氣體
- 碳氫化合物（CH4）、一氧化碳（CO）和氫氣（H2）在高溫下與氧化催化劑容器中的氧氣（O2）反應，形成二氧化碳（CO2）和水（H2O），然后在環境溫度吸附器容器中去除。
- 兩個吸附器容器在凈化和再生模式之間交替，提供連續凈化
- 吸附劑再生是通過在高溫下反沖洗純化的O2來實現的
- 優化設計在流量高達16667 slpm（1000 Nm3/hr）的小占地面積內提供亞ppb性能
技術參數
產地：美國
工藝：雙催化和吸附
氣體凈化：O2
雜質去除至<1ppb：H2O、CO、CO2、H2、CH4
流量max.：15 Nm3/hr
壓降max.：<0.7 bar (70 kPa)
吸附器容器數量：2
高(gao)度H：193 cm
寬度W：89 cm
深(shen)度D：84 cm
重量(liang)：<600 kg
產品應用
半導體
數據存儲
平板顯示器
發光二極管
太陽能
