使用常(chang)規(gui)的(de)(de)光(guang)刻技術，在(zai)(zai)(zai)標準(zhun)半導(dao)體(ti)周期(qi)中(zhong)(zhong)以(yi)GaAs高(gao)遷移率異質結構制(zhi)造探測(ce)(ce)器(qi)。成像傳感器(qi)在(zai)(zai)(zai)單個(ge)晶片上(shang)制(zhi)造。該過程確(que)保了等離子體(ti)檢測(ce)(ce)器(qi)參數的(de)(de)高(gao)度均勻性(xing)和可重復性(xing)（像素(su)到像素(su)的(de)(de)偏差(cha)響應度在(zai)(zai)(zai)20％的(de)(de)范(fan)圍內(nei)(nei)）。每個(ge)檢測(ce)(ce)器(qi)單元的(de)(de)室溫響應率高(gao)達50 kV / W，具有(you)讀(du)出電路，在(zai)(zai)(zai)10 GHz到1 THz的(de)(de)頻(pin)率范(fan)圍內(nei)(nei)的(de)(de)等效噪聲功(gong)率為1 nW /√Hz。該檢測(ce)(ce)機(ji)制(zhi)基于激(ji)發(fa)二維電子系統(tong)中(zhong)(zhong)等離子體(ti)振(zhen)蕩并隨后進行整流(liu)的(de)(de)機(ji)制(zhi)。整流(liu)發(fa)生在(zai)(zai)(zai)電子系統(tong)中(zhong)(zhong)產生的(de)(de)特殊缺陷(xian)上(shang)。

太赫茲(zi)相(xiang)機(ji)(ji)是主動檢測設備，需要(yao)外(wai)部THz源(yuan)。提供(gong)基于IMPATT技術的太赫茲(zi)波(bo)源(yuan)。所有(you)的TERA系列太赫茲(zi)成(cheng)像相(xiang)機(ji)(ji)都使用具有(you)相(xiang)同功(gong)能(neng)和空間分(fen)辨率的相(xiang)同類型(xing)的探測器。各型(xing)號之間的差(cha)異(yi)在(zai)于其傳感器陣列中的像素數量及其有(you)效(xiao)成(cheng)像區(qu)域。除了標準THz相(xiang)機(ji)(ji)機(ji)(ji)型(xing)號外(wai)，還(huan)提供(gong)定制的解決方(fang)案(an)，以滿足(zu)各種配置和幾(ji)何形狀要(yao)求。