可測(ce)量(liang)(liang)(liang)許多典型的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度應(ying)用，包(bao)括鎳上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)金(jin)(jin)，環氧樹(shu)脂上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)銅，光(guang)致抗蝕劑(ji)，銅上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)銀(yin)，可伐合(he)(he)金(jin)(jin)上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)錫，鋼上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)硝(xiao)酸鈦，錫鉛(qian)合(he)(he)金(jin)(jin)。Microderm Beta反(fan)向(xiang)散(san)射(she)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度標(biao)準(zhun)品(pin)（4個(ge)(ge)點集(ji)）包(bao)括裸(luo)露的(de)(de)(de)基礎(chu)材(cai)料(liao)樣品(pin)，無(wu)限厚(hou)(hou)(hou)(hou)的(de)(de)(de)涂層材(cai)料(liao)樣品(pin)和(he)兩(liang)個(ge)(ge)可追溯到NIST（美(mei)國國家(jia)標(biao)準(zhun)技術(shu)研究院(yuan)）的(de)(de)(de)認(ren)證厚(hou)(hou)(hou)(hou)度標(biao)準(zhun)。可以使(shi)用霍爾效應(ying)測(ce)量(liang)(liang)(liang)銅上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)鎳厚(hou)(hou)(hou)(hou)度，每(mei)個(ge)(ge)測(ce)量(liang)(liang)(liang)系(xi)統均(jun)配(pei)有臺式測(ce)量(liang)(liang)(liang)儀，測(ce)量(liang)(liang)(liang)探針和(he)導(dao)向(xiang)器以及(ji)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度標(biao)準(zhun)，專為良好的(de)(de)(de)易用性(xing)和(he)效率而設計(ji)Micro-Derm的(de)(de)(de)MP-900僅在MP-900結(jie)合(he)(he)了(le)beta反(fan)向(xiang)散(san)射(she)和(he)霍爾效應(ying)測(ce)量(liang)(liang)(liang)技術(shu)，從而消除了(le)對兩(liang)個(ge)(ge)單(dan)獨(du)儀器的(de)(de)(de)昂貴需(xu)求。緊湊設計(ji)的(de)(de)(de)測(ce)量(liang)(liang)(liang)功能(neng)X射(she)線熒光(guang)機的(de)(de)(de)經濟替代品(pin)可提高通量(liang)(liang)(liang)45個(ge)(ge)非易失(shi)性(xing)校(xiao)準(zhun)存儲器可讓(rang)用戶立即(ji)切換(huan)應(ying)用。

• 獨特的NOVRAM設計可通過-保持有價值的校準
• 備用電池
• 標準校準模式：4點，3點，2點，線性，多點和錫鉛
• 自動特殊的多點錫鉛校準模式
• 對不同的錫鉛成分進行補償和校正
• 新的三點BBS模式消除了對“無限”涂層的需求
• 標準霍爾效應測量的多點校準模式

產地：美國

電壓輸(shu)入(ru)：110/120/220/240±10%

頻率：50/60Hz

保險絲額定(ding)值：100/120V 1/2 ASB

220/240V 1/4 ASB

功耗：45 W

探頭燈輸出：是

RS-232C輸出(chu)：是

重(zhong)量：14磅(6.4公斤)

尺寸：17”x12”x4”（43.2 x 30.5 x 10.2厘米(mi)）

校準存儲器：45

探頭輸入：4-BBS

1-霍爾效應

顯示器：4位LED

數字：0.43英寸(cun)（1.1cm）高

讀數(shu)(shu)：微英(ying)寸、微米(mi)、密耳、Angstroms、成分(fen)百分(fen)比、計數(shu)(shu)率

打(da)印機(ji)：內置高速無(wu)印靜電打(da)印機(ji)

微處理器電路：是

鋅/鋼

鎘/鋼

銀/不銹鋼

銅/鋼

鎳/鋼

在塑料上(shang)真(zhen)空沉積鋁(lv)或銅

陽極氧化/鋁、氮化物(wu)外(wai)殼深度(du)